Vafele ir izgatavota no tīra silīcija (Si).Parasti sadalītas 6 collu, 8 collu un 12 collu specifikācijās, vafeles tiek ražotas, pamatojoties uz šo plāksni.Silīcija vafeles, kas izgatavotas no augstas tīrības pakāpes pusvadītājiem, izmantojot tādus procesus kā kristāla vilkšana un sagriešana, sauc par vafelēm becaizmantot tie ir apaļas formas.Uz silīcija plāksnēm var apstrādāt dažādas ķēdes elementu struktūras, lai kļūtu par produktiem ar īpašām elektriskām īpašībām.funkcionālie integrālo shēmu produkti.Vafeles iziet virkni pusvadītāju ražošanas procesu, veidojot ārkārtīgi mazas ķēžu struktūras, un pēc tam tiek sagrieztas, iepakotas un testētas mikroshēmās, kuras plaši izmanto dažādās elektroniskās ierīcēs.Vafeļu materiāli ir piedzīvojuši vairāk nekā 60 gadu tehnoloģisko evolūciju un industriālo attīstību, veidojot industriālu situāciju, kurā dominē silīcijs un ko papildina jauni pusvadītāju materiāli.
80% pasaules mobilo tālruņu un datoru tiek ražoti Ķīnā.Ķīna paļaujas uz importu 95% no augstas veiktspējas šķeldas, tāpēc Ķīna katru gadu tērē 220 miljardus ASV dolāru, lai importētu šķeldu, kas ir divas reizes vairāk nekā Ķīnas ikgadējais naftas imports.Bloķētas ir arī visas iekārtas un materiāli, kas saistīti ar fotolitogrāfijas iekārtām un mikroshēmu ražošanu, piemēram, vafeles, augstas tīrības pakāpes metāli, kodināšanas iekārtas utt.
Šodien mēs īsi runāsim par vafeļu iekārtu UV gaismas dzēšanas principu.Ierakstot datus, peldošajos vārtos ir jāievada lādiņš, pieliekot vārtiem augsta sprieguma VPP, kā parādīts attēlā zemāk.Tā kā ievadītajam lādiņam nav enerģijas, lai iekļūtu silīcija oksīda plēves enerģētiskajā sienā, tas var tikai saglabāt status quo, tāpēc mums ir jāpiešķir lādiņam noteikts enerģijas daudzums!Šajā gadījumā ir nepieciešama ultravioletā gaisma.
Kad peldošie vārti saņem ultravioleto starojumu, elektroni peldošajos vārtos saņem ultravioletās gaismas kvantu enerģiju, un elektroni kļūst par karstiem elektroniem ar enerģiju, lai iekļūtu silīcija oksīda plēves enerģētiskajā sienā.Kā parādīts attēlā, karstie elektroni iekļūst silīcija oksīda plēvē, plūst uz substrātu un vārtiem un atgriežas izdzēstajā stāvoklī.Dzēšanas darbību var veikt, tikai saņemot ultravioleto starojumu, un to nevar dzēst elektroniski.Citiem vārdiem sakot, bitu skaitu var mainīt tikai no "1" uz "0" un pretējā virzienā.Nav cita veida, kā izdzēst visu mikroshēmas saturu.
Mēs zinām, ka gaismas enerģija ir apgriezti proporcionāla gaismas viļņa garumam.Lai elektroni kļūtu par karstiem elektroniem un tādējādi tiem būtu enerģija, lai iekļūtu oksīda plēvē, ir ļoti nepieciešama gaismas apstarošana ar īsāku viļņa garumu, tas ir, ultravioletie stari.Tā kā dzēšanas laiks ir atkarīgs no fotonu skaita, dzēšanas laiku nevar saīsināt pat pie īsākiem viļņu garumiem.Parasti dzēšana sākas, kad viļņa garums ir aptuveni 4000A (400nm).Tas pamatā sasniedz piesātinājumu ap 3000A.Zem 3000A, pat ja viļņa garums ir īsāks, tas neietekmēs dzēšanas laiku.
UV dzēšanas standarts parasti ir pieņemt ultravioletos starus ar precīzu viļņa garumu 253,7 nm un intensitāti ≥16000 μW/cm².Dzēšanas darbību var pabeigt ar ekspozīcijas laiku no 30 minūtēm līdz 3 stundām.
Izsūtīšanas laiks: 22. decembris 2023